报告题目：锑化物低维结构与光电器件
报告时间：2021年5月20日（周四）16：30-17：30
报告地点：12教703
报 告 人：山东大学教授 杨再兴
报告简介：
锑化物被认为是继砷化物、磷化物、氮化物等III-V族体系获得巨大成功后的新的前沿方向。在众多的锑化物中，锑化镓（GaSb）的带隙（0.72 eV）在近红外波段且具有III-V族半导体中最高的空穴迁移率（1000 cm2V-1s-1），被认为是实现新一代高性能红外探测器和高速集成电路中空穴组元的理想沟道新材料。
低维半导体光电材料是新型信息材料研究的核心。利用全新的锑化物纳米线，一方面可以研发新一代高性能室温红外探测器，另一方面可以结构和演绎出全新的集成电路（后摩尔时代Beyond Moore的主要发展方向之一）。基于此，我们选择GaSb纳米线作为研究特例，立足“精确控制锑元素趋肤效应”、“调控载流子输运性质”、“优化红外探测性能”开展研究工作。首先在气相生长锑化物过程中，开发出氧族元素作为表面活性剂原位钝化锑元素的新方法，克服了锑元素“趋肤效应”引起的侧表面无序生长难题，得到了锑元素分布均匀的小直径纳米线（直径的最小值降至10 nm）； 紧接着发展了借助固态催化剂实现外延并控制纳米线表面微观结构和内部晶格结构的新机制，调控了载流子输运的散射机制，空穴迁移率逐步提升至理论极限值1000 cm2V-1s-1；最后制备了新型场效应管实现电场调控红外探测性能，建立起沟道材料迁移率与红外探测器件性能的构效关系，实现了室温超快红外探测。
报告人简介：
杨再兴，山东大学物理学院教授，博士生导师，山东大学杰出青年，山东大学青年交叉科学创新群体牵头人，山东省泰山学者（青年专家），国家重点研发计划负责人（青年）。长期致力于“锑化物低维结构与光电器件”的研究，力争引领新一代超快红外探测技术和高速集成电路的发展。已发表学术论文65篇，包括Nature Communications，ACS Nano，Nano Letters，ACS Applied Materials & Interfaces，Advanced Optical Materials，Nano Research，Journal of Physical Chemistry Letters。应邀撰写综述论文4篇。获得发明专利授权5项。在10th International Conference on Materials for Advanced Technologies（Singapore）、第二十二届全国半导体物理学术会议、中国物理学会秋季学术会议半导体分会（2018年、2019年）、全国电子信息青年科学家论坛暨第三届半导体青年学术会议（青年学者沙龙）、第二届锑化物半导体学术及产业促进大会等国内外学术会议作邀请报告20次并担任国际学术会议分会主席1次。
